工艺流程可分为前段制造(包括晶圆处理、晶圆测试)和后段制造(包括封装、测试)，前段工艺-般是指晶体管等器件的制造过程，大都是设计数字逻辑电路以实现预定功能，主要包括隔离、栅结构、源漏、接触孔等形成工艺。后段工艺，是将设计好的逻辑电路布线在一个器件层、多个金属层中，主要是指形成能将电信号传输到芯片各个器件的互连线，包括互连线间介质沉积、金属线条形成、引出焊盘制备工艺为分界线。

一、晶圆处理

是在硅晶圆上制作电子器件(如CMOS、电容、逻辑闸等)与电路,该过程极其复杂且投资大，对制造环境无尘室的要求严苛，温度、湿度与含尘均需严格控制。尽管,各类产品的制造工序稍有不同，但基本工序-般是在晶圆清洗后，进行氧化及淀积，然后反复进行光刻、刻蚀、薄膜淀积及离子注入等工序,最后形成晶圆上的电路。

二、晶圆测试

是在晶圆完成后，在晶圆上进行的电测试。-般情形下，-片晶圆上只有一-种产品。每个晶粒将会一经过测试， 不合格的晶粒被标上记号。然后,晶晶将以晶粒为单位切割成一粒粒独立的晶粒。

三、芯片封装

利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成产品;目的是给制造出的电路加上保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。

四、芯片测试

是对封装好的芯片进行测试，检验各项功能及参数指标，保证各项参数能够达标，以保证其良率。